半导体用管：半导体放电管选用方法

2020-09-29

半导体用管：半导体放电管选用方法

  半导体用管是使用晶闸管原理制造的过电压保护装置。 它依靠PN结的击穿电流来触发器件导通和放电，这可能会流过大的浪涌电流或脉冲电流。 其击穿电压的范围构成了过压保护的范围。

  无锡精密推荐选择半导体放电管时应注意以下几点：

1.最大瞬时峰值电流IPP必须大于通信设备标准的规定值。

2.转向电压VBO必须小于被保护电路允许的最大瞬时峰值电压。

  3.当半导体放电管处于导通状态（导通）时，功率损耗P应小于其额定功率Pcm，Pcm = KVT * IPP，其中K由短路电流波形确定。 对于指数波，方波，正弦波和三角波，K值分别为1.00、1.4、2.2和2.8。

半导体用管

  4.反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。 例如，在POTS应用中，最大振铃电压（150V）的峰值电压（150 * 1.41 = 212.2V）与峰值DC偏置电压（56.6V）之和为268.8V，因此VBR较大的设备 应选择高于268.8V的电压。 再举一个例子，在ISDN应用中，最大直流电压（150V）和最大信号电压（3V）之和为153V，因此应选择VBR大于153V的设备。

  5.为了使半导体放电管在流过大的浪涌电流后自复位，设备的保持电流IH必须大于系统可提供的电流值。 即：IH（系统电压/源阻抗）。

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